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1N6663US

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Artikelnummer
1N6663US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$22.86000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$22.86000

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Artikelnummer
1N6663US
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
500mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1V @ 400mA
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
50nA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SQ-MELF, A
Supplier Device Package
D-5A
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 175°C

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