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PMN120ENEX

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Artikelnummer
PMN120ENEX
Hersteller
Nexperia
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 3.1A 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PMN120ENEX.pdf
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Artikelnummer
PMN120ENEX
Hersteller
Nexperia
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 3.1A 6TSOP
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
123 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
275pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
6-TSOP
Paket / fall
SC-74, SOT-457

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