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IXTP1R6N50D2

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Artikelnummer
IXTP1R6N50D2
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTP1R6N50D2.pdf
Gesamt:$2.29000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.29000

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Artikelnummer
IXTP1R6N50D2
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
23.7nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 25V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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