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SIRA10BDP-T1-GE3

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Artikelnummer
SIRA10BDP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CHAN 30V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIRA10BDP-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.34021
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.34021

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Artikelnummer
SIRA10BDP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CHAN 30V
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
30A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
36.2nC @ 10V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Paket / fall
PowerPAK® SO-8

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