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FCU600N65S3R0

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Artikelnummer
FCU600N65S3R0
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
SUPERFET3 650V IPAK PKG
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$1.45000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.45000

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Artikelnummer
FCU600N65S3R0
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
SUPERFET3 650V IPAK PKG
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 600µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
465pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
54W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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