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IDB10S60C

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Artikelnummer
IDB10S60C
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IDB10S60C.pdf
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Artikelnummer
IDB10S60C
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Teilestatus
Obsolete
Diodentyp
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
10A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Geschwindigkeit
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
140µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
480pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 175°C

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