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FCH070N60E

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Artikelnummer
FCH070N60E
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 52A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FCH070N60E.pdf
Gesamt:$7.49000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$7.49000

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Artikelnummer
FCH070N60E
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 52A
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
52A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
166nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4925pF @ 380V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
481W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 Long Leads
Paket / fall
TO-247-3

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