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DMN3190LDW-13

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Artikelnummer
DMN3190LDW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN3190LDW-13.pdf
Gesamt:$0.07840
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(In US-Dollar)
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$0.07840

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Artikelnummer
DMN3190LDW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
87pF @ 20V
Leistung max
320mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SOT-363

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