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SIS932EDN-T1-GE3

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Artikelnummer
SIS932EDN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIS932EDN-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.25595
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(In US-Dollar)
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$0.25595

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Artikelnummer
SIS932EDN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 15V
Leistung max
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8 Dual

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