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3N163-E3

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Artikelnummer
3N163-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
3N163-E3.pdf
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Artikelnummer
3N163-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
50mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 Ohm @ 100µA, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3.5pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-72
Paket / fall
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

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