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NTDV18N06LT4G

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Artikelnummer
NTDV18N06LT4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
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Artikelnummer
NTDV18N06LT4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Vgs (Max)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
675pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 55W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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