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F475R07W2H3B51BPSA1

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Artikelnummer
F475R07W2H3B51BPSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
F475R07W2H3B51BPSA1.pdf
Gesamt:$66.35667
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(In US-Dollar)
1Stck
$66.35667

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Artikelnummer
F475R07W2H3B51BPSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
-
Aufbau
Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
75A
Leistung max
250W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
1.55V @ 15V, 37.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce
4.7nF @ 25V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Yes
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Module
Supplier Device Package
Module

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