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HGTP3N60A4D

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Artikelnummer
HGTP3N60A4D
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
HGTP3N60A4D.pdf
Gesamt:$1.40881
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$1.40881

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Artikelnummer
HGTP3N60A4D
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
Teilestatus
Not For New Designs
IGBT-Typ
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
17A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
40A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 3A
Leistung max
70W
Energie wechseln
37µJ (on), 25µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
21nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
6ns/73ns
Testbedingung
390V, 3A, 50 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
29ns
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220-3

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