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SQS484ENW-T1_GE3

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Artikelnummer
SQS484ENW-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 16A POWERPAK1212
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQS484ENW-T1_GE3.pdf
Gesamt:$0.40680
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Artikelnummer
SQS484ENW-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 16A POWERPAK1212
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall
PowerPAK® 1212-8

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