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MURTA600120R

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Artikelnummer
MURTA600120R
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MURTA600120R.pdf
Gesamt:$139.17111
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$139.17111

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Artikelnummer
MURTA600120R
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Teilestatus
Active
Diodenkonfiguration
1 Pair Common Anode
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
2.6V @ 300A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
25µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Three Tower
Supplier Device Package
Three Tower

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