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FQB4N80TM

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Artikelnummer
FQB4N80TM
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQB4N80TM.pdf
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Artikelnummer
FQB4N80TM
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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