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SQ2361EES-T1-GE3

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Artikelnummer
SQ2361EES-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQ2361EES-T1-GE3.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SQ2361EES-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
545pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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