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MT47H256M8EB-25E:C

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Artikelnummer
MT47H256M8EB-25E:C
Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MT47H256M8EB-25E:C.pdf
Gesamt:$17.85000
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(In US-Dollar)
1Stck
$17.85000

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Artikelnummer
MT47H256M8EB-25E:C
Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Teilestatus
Active
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - DDR2
Speichergröße
2Gb (256M x 8)
Taktfrequenz
400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ns
Zugriffszeit
400ps
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur
0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
60-TFBGA
Supplier Device Package
60-FBGA (9x11.5)

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