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IRF8513PBF

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Artikelnummer
IRF8513PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF8513PBF.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
IRF8513PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
766pF @ 15V
Leistung max
1.5W, 2.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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