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SPP80P06PHXKSA1

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Artikelnummer
SPP80P06PHXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SPP80P06PHXKSA1.pdf
Gesamt:$3.58000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.58000

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Artikelnummer
SPP80P06PHXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
173nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5033pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
340W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Paket / fall
TO-220-3

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