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STD9HN65M2

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Artikelnummer
STD9HN65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STD9HN65M2.pdf
Gesamt:$0.54495
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$0.54495

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Artikelnummer
STD9HN65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
820 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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