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SI1016CX-T1-GE3

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Artikelnummer
SI1016CX-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI1016CX-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.14746
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(In US-Dollar)
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$0.14746

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Artikelnummer
SI1016CX-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
396 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
43pF @ 10V
Leistung max
220mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
SC-89-6

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