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FDD3510H

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Artikelnummer
FDD3510H
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.51842
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.51842

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Artikelnummer
FDD3510H
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel, Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 40V
Leistung max
1.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Supplier Device Package
TO-252-4L

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