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SI4818DY-T1-E3

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Artikelnummer
SI4818DY-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI4818DY-T1-E3.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SI4818DY-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.3A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1W, 1.25W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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