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BSB165N15NZ3GXUMA1

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Artikelnummer
BSB165N15NZ3GXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSB165N15NZ3GXUMA1.pdf
Gesamt:$1.70467
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(In US-Dollar)
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$1.70467

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Artikelnummer
BSB165N15NZ3GXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 110µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 75V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall
3-WDSON

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