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SI4829DY-T1-E3

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Artikelnummer
SI4829DY-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI4829DY-T1-E3.pdf
Gesamt:$0.23018
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Artikelnummer
SI4829DY-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
215 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 10V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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