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RS3M V6G

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Artikelnummer
RS3M V6G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RS3M V6G.pdf
Gesamt:$0.12294
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.12294

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Artikelnummer
RS3M V6G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
-
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
-
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
500ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
DO-214AB, SMC
Supplier Device Package
DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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