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IPDD60R102G7XTMA1

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Artikelnummer
IPDD60R102G7XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPDD60R102G7XTMA1.pdf
Gesamt:$2.96188
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(In US-Dollar)
1Stck
$2.96188

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Artikelnummer
IPDD60R102G7XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 390µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1320pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
139W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HDSOP-10-1
Paket / fall
10-PowerSOP Module

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