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RD3T100CNTL1

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Artikelnummer
RD3T100CNTL1
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
NCH 200V 10A POWER MOSFET
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Artikelnummer
RD3T100CNTL1
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
NCH 200V 10A POWER MOSFET
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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