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DMG7702SFG-13

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Artikelnummer
DMG7702SFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMG7702SFG-13.pdf
Gesamt:$0.23813
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Artikelnummer
DMG7702SFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4310pF @ 15V
FET-Funktion
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)
890mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerDI3333-8
Paket / fall
8-PowerWDFN

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