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BYV30JT-600PQ

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Artikelnummer
BYV30JT-600PQ
Hersteller
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BYV30JT-600PQ.pdf
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(In US-Dollar)
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$0.00000

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Artikelnummer
BYV30JT-600PQ
Hersteller
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.8V @ 30A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
65ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P
Betriebstemperatur - Übergang
175°C (Max)

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