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IPW65R099C6FKSA1

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Artikelnummer
IPW65R099C6FKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPW65R099C6FKSA1.pdf
Gesamt:$7.77000
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(In US-Dollar)
1Stck
$7.77000

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Artikelnummer
IPW65R099C6FKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99 mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
127nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2780pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
278W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Paket / fall
TO-247-3

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