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BSP318SL6327HTSA1

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Artikelnummer
BSP318SL6327HTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSP318SL6327HTSA1.pdf
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Artikelnummer
BSP318SL6327HTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
Paket / fall
TO-261-4, TO-261AA

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