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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln IRFH5220TR2PBF

IRFH5220TR2PBF

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Artikelnummer
IRFH5220TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFH5220TR2PBF.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)		 1Stck
$0.00000

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Artikelnummer
IRFH5220TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1380pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PQFN (5x6)
Paket / fall
8-VQFN Exposed Pad

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