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NTMS4916NR2G

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Artikelnummer
NTMS4916NR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.32410
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$0.32410

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Artikelnummer
NTMS4916NR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8FL
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1376pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
890mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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