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IPAW60R180P7SXKSA1

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Artikelnummer
IPAW60R180P7SXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPAW60R180P7SXKSA1.pdf
Gesamt:$2.02000
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(In US-Dollar)
1Stck
$2.02000

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Artikelnummer
IPAW60R180P7SXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1081pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
26W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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