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TN0110N3-G

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Artikelnummer
TN0110N3-G
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.90000

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Artikelnummer
TN0110N3-G
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
350mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-92-3
Paket / fall
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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