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FDH038AN08A1

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Artikelnummer
FDH038AN08A1
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDH038AN08A1.pdf
Gesamt:$7.40000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$7.40000

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Artikelnummer
FDH038AN08A1
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
22A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
8665pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
450W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Paket / fall
TO-247-3

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