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IRFB4229PBF

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Artikelnummer
IRFB4229PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFB4229PBF.pdf
Gesamt:$4.32000
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(In US-Dollar)
1Stck
$4.32000

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Artikelnummer
IRFB4229PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
46A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4560pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
330W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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