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BSC670N25NSFDATMA1

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Artikelnummer
BSC670N25NSFDATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSC670N25NSFDATMA1.pdf
Gesamt:$1.41985
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.41985

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Artikelnummer
BSC670N25NSFDATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
67 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 125V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8
Paket / fall
8-PowerTDFN

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