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IRF200P223

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Artikelnummer
IRF200P223
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF200P223.pdf
Gesamt:$10.78000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$10.78000

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Artikelnummer
IRF200P223
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5094pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
313W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Paket / fall
TO-247-3

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