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FDV304P_NB8U003

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Artikelnummer
FDV304P_NB8U003
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDV304P_NB8U003.pdf
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Artikelnummer
FDV304P_NB8U003
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
460mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)
-8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
63pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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