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IXFP5N100PM

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Artikelnummer
IXFP5N100PM
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFP5N100PM.pdf
Gesamt:$3.42000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.42000

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Artikelnummer
IXFP5N100PM
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
33.4nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1830pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220 Isolated Tab
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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