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DMN67D8LDW-7

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Artikelnummer
DMN67D8LDW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN67D8LDW-7.pdf
Gesamt:$0.08640
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Artikelnummer
DMN67D8LDW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
230mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.82nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 25V
Leistung max
320mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SOT-363

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