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CSD16321Q5C

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Artikelnummer
CSD16321Q5C
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CSD16321Q5C.pdf
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Artikelnummer
CSD16321Q5C
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
31A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 25A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Vgs (Max)
+10V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 12.5V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / fall
8-PowerTDFN

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