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FQD4P25TM-WS

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Artikelnummer
FQD4P25TM-WS
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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$0.38755

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Artikelnummer
FQD4P25TM-WS
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1 Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D-Pak
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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