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TP65H035WSQA

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Artikelnummer
TP65H035WSQA
Hersteller
Transphorm
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 47A TO247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TP65H035WSQA.pdf
Gesamt:$21.76000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$21.76000

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Artikelnummer
TP65H035WSQA
Hersteller
Transphorm
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 47A TO247-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
187W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Paket / fall
TO-247-3

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