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1N5061 TR

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Artikelnummer
1N5061 TR
Hersteller
Central Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.74844
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$0.74844

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Artikelnummer
1N5061 TR
Hersteller
Central Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.2V @ 1A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
SOD-88A, Axial
Supplier Device Package
GPR-1A
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 175°C

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