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SI6966EDQ-T1-E3

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Artikelnummer
SI6966EDQ-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI6966EDQ-T1-E3.pdf
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Artikelnummer
SI6966EDQ-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1.25W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package
8-TSSOP

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