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RTQ025P02TR

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Artikelnummer
RTQ025P02TR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RTQ025P02TR.pdf
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Artikelnummer
RTQ025P02TR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
580pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TSMT6 (SC-95)
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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